I tre obiettivi di Mark Bohr e l'introduzione al tri-gate
Nell‘introduzione abbiamo mostrato il video introduttivo alla conferenza, andiamo ad analizzarne ora gli aspetti più interessanti.
Il primo elemento che si intuisce dal video è che si sta parlando di strutture a 22nm, infatti nella simpatica animazione che vede Bohr protagonista, egli stesso si fa rimpicciolire fino a livello nanometrico.
Il Senior Fellow di Intel introduce la nuova struttura descrivendo quali sono gli obiettivi da raggiungere e raggiunti rispetto alla struttura planare dei transistor classici.
PRIMO OBIETTIVO: MASSIMIZZARE IL FLUSSO DI CORRENTE IN FASE “ON”
Il primo obiettivo posto da Bohr è quello di massimizzare il flusso di corrente che passa attraverso il gate quando il transistor è pienamente operativo.
SECONDO OBIETTIVO: MINIMIZZARE IL FLUSSO DI CORRENTE IN FASE “OFF”
Di controparte il secondo obiettivo prevede di minimizzare il passaggio di elettroni quando il transistor è inattivo e quindi in fase “OFF”.
TERZO OBIETTIVO: MINIMIZZARE LA VELOCITA’ DI TRANSIZIONE TRA GLI STATI
L'ultimo obiettivo che si pone Bohr riguarda lo switch di status da inattivo ad attivo e viceversa.
Intel, infatti, ha cercato di ridurre il più possibile il tempo necessario per effettuare il cambio di stato.
TRI-GATE
La soluzione di Intel è la nuova struttura tridimensionale chiama tri-gate, che nelle pagine successive andremo ad analizzare.
Mark Bohr, introducendo tri-gate mostra in breve quali sono le feature di questa nuova soluzione produttiva.
In primis grazie ad una maggiore superficie di passaggio degli elettroni vi è un incremento delle performance pari al 37%, combinato ad una riduzione dei consumi del 50%.
