Dopo la presentazione della serie Savage DDR3, HyperX non poteva non proseguirla, ed ecco che anche in concomitanza con il lancio dello standard DDR4 e delle nuove schede madri con chipset Z170 (Skylake), l’arrivo della serie Savage DDR4. Abbiamo visto già con la recensione delle Savage DDR3 (QUI) come tale serie riesca a coniugare un valido design e qualità a prestazioni altrettanto valide. Con il Kit DDR3 non abbiamo avuto molta ‘’fortuna’’ ad ottenere un overclock spinto, vedremo con questo Kit DDR4 se qualcosa è cambiato o meno. Il Kit da noi ricevuto è composto da 2 banchi da 8GB operanti alla frequenza di 3000MHz con Cas Latency 15 siglato HX430C15SB2K2/16. Dati di targa già buoni , vedremo nel corso della recensione se siamo riusciti ad ottenere qualcosa in più.

Sistema di prova e metodologia di test

Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1151, con CPU dotata di architettura Skylake. Nel dettaglio:

Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,35V per la frequenza di 3000MHz selezionando il profilo XMP.  Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller ma con il voltaggio limite di 1.65V certificato XMP dalla stessa Intel non ci saranno problemi. Invece con la nuova architettura e CPU Skylake queste voltaggi sono diventati proibitivi tanto che il massimo voltaggio raccomandato è 1,4V e solo per brevi e non continui bench potremo arrivare a massimo 1,5V ad aria.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

• CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

A seguire la lista di software utilizzati:

• 3D Mark 13 Fire Strike
• Aida64
• WinRAR
• Cinebench R15
• wPrime