Cari amici e lettori di Xtremehardware.com oggi torneremo a parlare di moduli RAM DDR3 e lo faremo con un kit di G.Skill che seppur non recente offre sempre ottime prestazioni. Stiamo parlando delle G.Skill TridentX, la serie dell’omonima azienda taiwanese che nel corso degli anni ha ottenuto record su record. Le TridentX sono la serie di RAM offerta da G.Skill votata agli utenti che cercano le massime prestazioni o agli overclockers che vogliono spremere fino all’ultimo MHz. In particolar modo dopo aver recensito il kit da 8GB (QUI), oggi testeremo il kit da 16GB, precisamente il modello F3-2400C10-16GTX. Procediamo dunque immediatamente con analisi e test di questo kit.
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Sistema di prova e metodologia di test
Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1150, con CPU dotata di architettura Haswell. Nel dettaglio:
Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,65V per la frequenza di 2400Mhz selezionando il profilo XMP. Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller ma con il voltaggio limite di 1.65V certificato XMP dalla stessa Intel non ci saranno problemi.
Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:
CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.
A seguire la lista di software utilizzati:
- 3D Mark 13 Fire Strike
- Aida64
- WinRAR
- Cinebench R15
- wPrime
- MaxxMEM 2