Questi nuovi modelli di DDR3 sono caratterizzati da un basso voltaggio di alimentazione “1.65v” e da un PCB ad otto strati. Tali caratteristiche si sono rese necessarie al fine di interfacciare al meglio, sia dal punto di vista elettrico che dal punto di vista delle performance, il memory controller direttamente integrato nel die del nuovi processori Intel “Nehalem”.
Attualmente il mercato delle DDR3 è maturo e ben consolidato, lo testimoniano i prezzi, che sono in continuo e graduale calo e la stragrande varietà di prodotti commerciali presenti sul mercato. Questa ampia scelta, potrebbe invogliare l’utente finale, ad aggiornare il proprio Computer. Le nuove soluzioni DDR3 da 3GB abbinate alla nuova modalità “triple cannel” a 192 bit, sono in grado di far lavorare in maniera veloce ed efficiente il nuovo sistema operativo di casa Microsoft ”Windows Vista 64 bit”.

Le nuove cpu “Nahalem” sono dotati di un memory controller DDR3 triple-channel, soluzione che, al pari dell’attuale dual-channel, sfrutterà la presenza di più moduli di memoria “gemelli” alloggiati negli slot della scheda madre. L’utilizzo di un controller a triplo canale garantisce un notevole incremento della banda di memoria, così da assicurare prestazioni maggiori senza modificare la frequenza di funzionamento della memoria stessa, mantenendo stabile il sistema.
Ricordiamo che l’utilizzo di un memory controller a triplo canale è sottoposto all’acquisto di ben 3 moduli di memoria DDR3, oltre a possedere una scheda madre che sa in grado di gestire il triple-channel.

In questo mercato“Enthusiast” non poteva certamente mancare G.Skill che con la sua nuova proposta di DDR3 F3-16000CL9T-3GBPI (3x1Gb), si rivolge a tutte quelle persone che vogliono ottenere le massime prestazioni dal proprio Computer.

Le memorie che andremo a recensire oggi sono le G. SKILL F3-16000CL9T-3GBPI: un kit “3X1Gb” di DDR3 facente parte della serie “Pi Series”, sinonimo di altissima qualità costruttiva abbinata ad una eccellente stabilità che in questi anni ha contraddistinto l’azienda e che consente a G.Skill di garantire a vita i propri prodotti. La serie “Pi” non è attualmente il Top che dispone G.Skill nel segmento “Enthusiast” per le ram DDR3 Low voltage. Infatti il top è rappresentato dalle ram “G.Skill Perfect Storm Series”. Ciò nonostate, le ram oggetto della recensione si sono dimostrate molto valide e particolarmente indicate per gli amanti del Overclock e non, infatti, sono appropriate per ogni ambito di utilizzo.
La serie “Pi” integra la nuova gamma di sistema di raffreddamento passivo per RAM, che trae la sua denominazione dalla forma geometrica che ricorda la lettera “"π" dell'alfabeto greco "PI". La nuova tecnologia brevettata da G.Skill ottimizza le prestazioni e riduce il calore. A detta di G.Skill, le alette di raffreddamento a "PI" sono in grado di ridurre la temperatura operativa del componente a cui sono applicate di circa il 20% o il 30% in taluni casi rispetto alle soluzioni convenzionali. Vedremo in seguito come si comporta il sistema di raffreddamento
La sigla “G. SKILL F3-16000CL9T-3GBPI”è una nomenclatura adottata dall’azienda per contraddistinguere le proprie differenti proposte di ram DDR3, diversificate in base al prezzo e al segmenti di mercato.
Soffermiamoci ad analizzare in dettaglio il significato della nomenclatura con queste nuove DDR3:

G. Skill F3-16000CL9T-3GBPI:

• G. Skill = Marca della casa produttrice.
• F3 = Tipo di memoria, in questo caso DDR3.
• 16000 = Velocità della memoria, in questo caso 2000Mhz.
• CL9 = La latenza della memoria, in questo caso è certificata per andare a Cas. 9-9-9-24 – 2T con un voltaggio di 1.65V.
• T = La lettera “T” indica il supporto al Triple Channel.
• 3GB = Indica la capacità, in questo caso, abbiamo 3Gb di memoria e precisamente n.3 moduli da 1Gb l’uno.
• PI = Indica il nuovo innovativo sistema di dissipazione.

Le G. SKILL F3-16000CL9T-3GBPI dispongono dell’innovativo sistema “PI”.
Informazioni G. SKILL F3-16000CL9T-3GBPI:

• Codice Prodotto: F3-16000CL9T-3GBPI;
• Capacità: 3GB - 3x 1024MB Memory Modules;
• Velocità d’esercizio PC3-16000, 2000MHz DDR3;
• Timings: 9-9-9-24 – 2T;
• Voltaggio: 1.65 V;
• Tipo: 240-Pin DDR3 SDRAM;
• Garanzia: A vita.

Vedremo in seguito i vantaggi dettati da questa nuova tecnologia “Pi”.
Maggiori informazioni sul prodotto oggetto della nostra prova, le trovare di seguito:
http://newgskill.web-bi.net/bbs/view.php?id=g_ddr3&page=1&sn1=&divpage=1&sn=off&ss=on&sc=on&select_arrange=headnum&desc=asc&no=56

Vediamo quindi che sono 3GB “3X1GB” di DDR3 16000Mhz a CAS 9.

Questi banchi, attualmente non rappresentano la proposta da 3GB DDR3 “Top” in casa G. Skill, nonostante questo, dalle prove condotte, possiamo affermare che il kit si è dimostrato molto duttile ed estremamente orientato alla pratica dell’overclock.
Tra i vari timings che possiamo modificare (in genere accessibili dal sottomenu Advanced Chipset Features del bios della propria scheda madre) sono essenzialmente quattro i parametri che maggiormente vengono variate:

• Cas Latency Time (TCL): durante un operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• Row Precharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più veloce il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

G. Skill certifica i propri moduli per un funzionamento con voltaggio pari a 1,65V. Questo voltaggio, risulta essere di 0,15V superiore rispetto alle specifiche JEDEC per memorie DDR3-1333.

Raccomandiamo l’uso di un Command Rate pari a 2T per non aver alcun tipo di problema.

Il CMD (e' il Command rate) ed e' il tempo che passa tra l'attivazione del chip di memoria e quando un comando può essere inviato alla memoria stessa. 1T equivale a 1 ciclo di clock, 2T a due cicli di clock etc.
E' evidente che minore e' T maggiori sono le prestazioni. Il 2T invece da prestazioni inferiori, ma permette maggiore stabilità ed Overclock più spinti.

Ad onor di cronaca, durante le nostre prove, abbiamo raggiunto senza alcun tipo di problema la piena stabilità operativa, impostando il Command rate a 1T, alla frequenza operativa di 2000Mhz Cas 8-8-8-24 con 1.65v. Contrariamente all'architettura chipset precedente in cui il command rate aveva scarsa influenza sulle prestazioni delle memorie, con la nuova architettura X58 con il memory controller integrato nel Die del processore, il command rate diventa uno dei parametri più importanti per incrementare le performance delle memorie.
La possibilità di impostare senza problemi il Command rate a 1T è sinonimo di ottima qualità costruttiva da parte di G. Skill!

Un po' di storia

G. SKILL è nata nel lontano 1989, la sede e a Taipei, Taiwan e ben presto si è affermata come una delle principali aziende a livello mondiale nella produzione di memorie Ram.
Per G. SKILL la priorità assoluta è quella di dare la migliore qualità associata alle migliori prestazioni.
Tutti i prodotti sono manualmente testati al 100% per ben due volte. Una prima volta in fabbrica e una seconda in ufficio, al fine di garantire la massima qualità e sicurezza al consumatore.

G. SKILL punta al Massimo livello fin dal disegno iniziale, passando per le saldature e il montaggio, arrivando all’ispezione da parte di tecnici che ne determinano la compatibilità con i vari sistemi.

Le memorie ci sono giunte in un blister di plastica trasparente che rivela il contenuto, ovvero i tre moduli di memoria da 1 GB ciascuno. Questa confezione provvede a proteggerle da eventuali urti.

Nella parte posteriore della confezione la locandina riporta una breve introduzione del costruttore, il part number che identifica in maniera univoca le memorie del costruttore e l'indicazione della garanzia a vita.

Aprendo lo scatolone, troviamo ogni singolo banco di ram. I moduli di memoria sono dotati di un dissipatore in alluminio di colore nero, dal design molto accattivante e un look molto gradevole ricavato grazie a un sapiente accostamento di colori.

La forma del dissipatore è puro design che, viste le generose dimensioni, potrebbe causare qualche problema di spazio all'interno dei case, soprattutto in presenza di dissipatori che tendono a invadere l'area degli slot di memoria.

Le ram, sono equipaggiate da dissipatori in alluminio di colore nero di tipo passivo, che ricordano la forma della lettera "π" dell'alfabeto greco "PI". I dissipatori sono posti a diretto contatto con i chip memoria tramite un sottile strato di materiale termo conduttivo, donando un aspetto signorile e allo stesso tempo molto accattivante al prodotto G.Skill.
Un sistema di raffreddamento di questo tipo garantisce un’eccellente scambio termico, ma comporta l'innegabile difetto di creare problemi d'ingombro quando i moduli sono montati in abbinamento ad un dissipatore del processore particolarmente voluminoso. Dalle prove condotte in laboratorio, i dissipatori, hanno svolto un ottimo lavoro, infatti sono riusciti a dissipare in maniere soddisfacente il calore generato, garantendo una temperatura di esercizio sempre accettabile, anche sotto prolungate sessioni test di Overclock.

La parte posteriore delle memorie riporta la targhetta con le specifiche dichiarate dal costruttore: DDR3-1600MHz con timings 8-8-8-21 e tensione di alimentazione compresa nel range 1,60-1,65 volt.

Analizziamo l’innovativo sistema di raffreddamento “PI” di G.Skill:
Il calore è il nemico principale di tutti i componenti dei computer. L’eccessivo calore infatti ha un impatto considerevole sulle prestazioni dei componenti hardware e quindi anche per le ram ad alte prestazioni è importante mantenere bassa la temperatura dei chip.
Durante infatti l'utilizzo di voltaggi molto elevati, i moduli G.Skill riescono a produrre una quantità di calore del 20-30% più bassa rispetto a soluzioni analoghe.
Come possiamo vedere è un sistema di raffreddamento particolarmente originale, che ricordano la forma della lettera "π" dell'alfabeto greco "PI". La tradizionale placca a contatto con chip memoria è stata arricchita da alette superiori, ottenendo per l'appunto un'altezza complessiva del modulo ben superiore ai tradizionali moduli DDR3 in commercio, tutto questo comporta un’ottima dissipazione del calore.

Senza Dissipatore:

Con Dissipatore G.Skill:

Possiamo vedere dallo schema i chip vengono raffreddati dal dissipatore in maniera omogenea, garantendo uno smaltimento del calore uniforme. contatto con il PCB tramite una lamina di metallo fusa con il PCB e due dissipatori in alluminio sono riservati ai chip I dissipatori, donano un aspetto signorile e allo stesso tempo molto accattivante al prodotto.
Senza dubbio, è un sistema di raffreddamento particolarmente originale: la tradizionale placca a contatto con chip memoria è stata arricchita da alcune alette superiori, a forma di lettera "π" dell'alfabeto greco "PI", ottenendo per l'appunto un'altezza complessiva del modulo ben superiore ai tradizionali moduli DDR3 in commercio, tutto questo comporta un’ottima dissipazione del calore, ma nello stesso tempo richiede un’attenta scelta per il dissipatore della cpu.

I moduli G. Skill F3-16000CL9T-3GBPI proposti in kit da 3 Gbytes di capacità complessiva, sono certificati dal produttore per operare stabilmente a una frequenza di clock di 2000MHz, in abbinamento a voltaggio di alimentazione di 1.65V e timings pari a 9-9-9-24 -2T, con un incremento di 0,15v rispetto al voltaggio di alimentazione standard per memorie DDR3 di 1,50V.

Le memorie prevedono un profilo XMP, “Extreme Memory Profiles”, pertanto è indicato nella timings table l'impostazione a 1000 Mhz di clock con timings 9-9-9-24 e voltaggio di alimentazione corrispondente di 1.65V così come indicato sull'etichetta posta sul modulo memoria.

Dalla schermata di CPU-Z, l'SPD delle memorie è programmato con un profilo XMP (Extreme Memory Profiles) che consente al bios delle schede madri di impostare le memorie con i settaggi XMP DDR3-2000 come da specifica del costruttore garantendo una compatibilità pressoché totale con i bios delle schede madri in commercio.
XMP è l’acronimo di Extreme memory profile, questa sigla identifica una speciale configurazione, brevetta da Intel, che permette di far funzionare correttamente le memorie oltre le specifiche standard con profili di latenza e frequenza più spinte.
Il protocollo XMP si interfaccia direttamente al SPD (Serial Presence Detect) dei moduli di memoria , ovvero una piccola eprom che contiene tutti parametri di funzionamento dei moduli di memoria.
Grazie a questo protocollo, il bios della mainboard imposta i parametri di funzionamento in maniera automatica, preservando cosi ogni possibilità di errore nella configurazione dei moduli.

I moduli sono costruiti basandosi su chip da 128Mbit X 8 il che significa che ciascun chip ha 128Mbit di contenuto informativo e 8 linee di I/O, pertanto con 8 chip per modulo si costruisce la struttura del modulo 128Mbit X 64 ottenendo cosi un modulo single rank e single sided. Sono utilizzati 8 chip per modulo, tutti su un lato, consentendo così di raggiungere la densità richiesta da un modulo ad 1 GB (128Mbit X 8=1024MB).

Le ram sono di tipo 240-pin DIMM, Non-ECC.

Le ram, montano i chip SAMSUNG K4B1G0846D-HCF0.
Precisamente sono marchiate:
- SEC 846 HCF0
- K4B1G0846D

I chip Samsung K4B1G0846D-HCF0 utilizzano una nomenclatura “particolare” per identificare i propri prodotti. Soffermiamoci ad analizzare in dettaglio il significato della nomenclatura dei Samsung.


Samsung K4B1G0846D-HCF0:
- k = Modello di memoria.
- 4 = Tipo di ram – DRAM.
- B = DDR3 SDRAM.
- 1G = Quantità di ram; 1GB.
- 08 = X 8 bit.
- 4= 8 Banks.
- 6 = Interfaccia ( VDD, VDDQ) - SSTL (1.5V, 1.5V).
- D = Data revisione – 5 Gennaio 2008.
- H = Package – FBGA ( Lead – Free).
- C = Temperatura di funzionamento – 0°C – 85°C.
- F0 = Velocità di funzionamento – DDR3 2000 ( 1000MHZ @ CL=9, Trcd=9, Trp=9 ).

Per maggiori informazioni:

http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/productListNonflexTable.do?fmly_id=103&sht_id=1
http://www.samsung.com/global/system/business/semiconductor/family/2008/12/12/414624ddr3_product_guide_december_08.pdf

Il PCB è a 8 strati è viene usato dalla maggior parte dei produttori di ram DDR3 ad alte prestazioni.

Per il sistema di prova ci siamo avvalsi di una scheda madre del produttore Gigabyte equipaggiata con chipset Intel X58, in particolare è stata scelta il modello “GA-X58 UD5” nota per le sue particolari caratteristiche di Overclock ben spinte.
Come processore ci siamo avvalsi di un modello della INTEL appositamente inviatoci in versione Box, della famiglia “Nehalem”, in particolare è stato scelto il modello Core i7 920 che ha una frequenza lavorativa di 2.66Mhz, una Cache L3 di 8MB e una frequenza di clock del bus QPI di 4,8 Gigatransfer al secondo e un moltiplicatore di 20x, in modo da spingere al massimo le memorie e non avere dei colli di bottiglia nel effettuare i test.
Al fine di poter testare in maniera opportuna le memorie e farle lavorare alle frequenze dichiarata è stato necessario overcloccare il Bus Frequency che di base opera alla frequenza di 133 a 200 MHz.
La cpu lavorerà sempre ad una frequenza di “200x20= 4000Mhz.

Il clock del bus QPI è stato impostato da bios a 18x e verrà usato sempre a 3798 per tutti i test che verranno condotti in laboratorio in questa recensione.
Impostando da bios il clock del bus QPI a 17 e il Bus Frequency a 200, avremo la seguente condizione:

• Rapporto 2:10 - DDR3 2000 Mhz - Cas 9-9-9-24 -2T;
• Rapporto 2:10 - DDR3 2000 Mhz - Cas 9-9-9-24 -1T;
• Rapporto 2:10 - DDR3 2000 Mhz - Cas 8-8-8-24 -2T;
• Rapporto 2:10 - DDR3 2000 Mhz - Cas 8-8-8-24 -1T;

Verranno realizzati due gruppi di test che sono stati progettati per rispondere alle seguenti esigenze:

• Un primo gruppo di test verrà effettuato sottoponendo il kit di memorie a una serie di applicativi di benchmarking mirati a testarne le performance generali. I test saranno eseguiti in modo tale da lasciare fisso il Bus Frequency a 200Mhz ed il moltiplicatore della cpu a 20x, in modo da avere una frequenza del processore fissa di 4000Mhz. I rapporti non verranno variati “2:10” della memoria in modo da modificare la frequenza di funzionamento della stessa, ma verrà variato solo la latenza della stessa e il Command rate da 2T a 1T. Il voltaggio delle memorie resterà invariato a 1.65v. In questa maniera si avrà un test esaustivo alla frequenze di funzionamento di DDR3 2000Mhz senza che i risultati vengano influenzati dalla variazione di funzionamento della CPU.
• Un secondo gruppo di test invece verrà effettuato applicando due voltaggi differenti 1.65 v (per simulare un utilizzo quotidiano con voltaggio certificato dal produttore) e 1.85 v (per simulare un utilizzo spinto) e analizzare il comportamento del kit G. Skill all’eventuale miglioramento dovuto all’incremento del voltaggio erogato. Verranno utilizzati il SuperPI a 1 M per testare la stabilità minima e il SuperPi a 32 M per verificare una stabilità maggiore. In questo caso si lavorerà con i rapporti della memoria e con il Bus Frequency allo scopo di trovare le massime frequenze di utilizzo per i due benchmark al variare delle frequenze.

I test verranno condotti solo con i timing a:

• DDR3 - Cas 7-8-7-24 -1T.

A cas 8 e 9 si è limitati dal processore e dalla scheda madre che non riescono a gestire con voltaggi considerati per uso giornaliero la frequenza di overclock impostato.

Le massime frequenze raggiungibili sono state individuate aumentando il Bus Frequency a intervalli di 5 MHz alla volta, ed eseguendo tutti gli applicativi di benchmarking previsti.
Tutti i test sono stati condotti sia con Tool di Benchmark, sia con Tool di Giochi. Precisamente sono stati utilizzati i seguenti programmi:

Tool di Benchmarking testati:

I benchmark sintetici permettono di evidenziare eventuali differenze esistenti, in termini di bandwidth e di latenza, tra le varie configurazioni di memoria disponibili. A parità di tecnologia di memoria, una frequenza di clock più elevata permette di ottenere valori di bandwidth maggiori, mentre con timings più bassi si ottiene una riduzione della latenza di accesso.
Come già detto nella precedente pagina abbiamo lasciato inalterata la frequenza di funzionamento a 4000Mhz della CPU e le memorie sono state fatte funzionare a DDR3 1600 impostando timings diversi. Il voltaggio delle memorie resterà invariato a 1.65v. In questo modo sarà possibile vedere come le performance delle memorie scalano al diminuire dei timings impostati.

Dal grafico, si vede chiaramente, come i migliori risultati si ottengono con l’accoppiata Command rate 1T/Timing spinti. Le ram impostate a 1600Mhz a Cas 7-8-7-24 -1T ottengono i risultati migliori. Il Chipset della scheda madre si comporta in maniera lineare, infatti questo è merito della scheda madre di Intel che nel bios permette di mantenere invariato il “Bus Frequency” a 200 e il clock del bus QPI 18x.

Da notare la scarsa influenza del chipset nei test della banda passante. Il Sisoft Sandra evidenzia un comportamento di crescita molto lineare, i migliori risultati si ottengono con l’accoppiata Command rate 1T/Timing spinti.

I test effettuati con il software Everest Ultimate Edition v 5.00.1650, che si riferiscono alla lettura/scrittura/copia della memoria, hanno evidenziano un comportamento molto simile al test Sisoft Sandra.

Si vede in maniera lampante, come i Timing delle ram insieme alla frequenza di lavoro, influiscono in maniera marcante sulle prestazioni finali.

Il Super PI è benchmark che calcola le cifre decimali del pi greco, indicando il tempo impiegato dal processore. Questo tipo di benchmark è molto legato alla frequenza della cpu e alla frequenza della memoria, nonché alle latenze di accesso. Il risultato migliore in assoluto si hanno con i 3GB operanti alla frequenza effettiva di 2000 MHz e con timing pari a 8-8-8-24 – 1T (cas-trcp-trp-tras).

Il test CPU Bench2003 misura la banda di memoria derivata da una media tra una banda di picco con calcoli in virgola mobile in singola e doppia precisione e calcoli con numeri interi. Come si vede è influenzata dalla frequenza dei timings delle memorie. Il grafico evidenzia un comportamento lineare in tutti i test da noi condotti.

Anche in questo caso, vediamo che i migliori risultati si ottengono con i 3GB in abbinamento con latenze basse.

I migliori risultati si ottengono con i 3GB in abbinamento con latenze basse.

Le memorie scalando bene all'aumentare del voltaggio con i timings a cas 7. Infatti, vediamo che realizzano delle buone performance essendo un banchi da 3gb di memoria! Questo ottimo risultato è dovuto alla bontà dei chip usati, ovvero i Samsung K4B1G0846D-HCF0, che si sono dimostrati di ottima fattura.
L'impressione è che la massima frequenza raggiungibile in overclock sia limitata dalla piattaforma hardware utilizzata dai test, sia da parte del chipset, sia da parte della cpu. Sono ram che richiedono per essere sfruttate al massimo un processore Intel Core i7-965/975 Extreme Edition, in modo da poter spingere le ram sia a cas 8 che a cas 9.
Ovviamente la frequenza massima raggiungibile in overclock sarà variabile da kit a kit, e magari con una scheda madre e processore differente si sarebbero raggiunte performance diverse.
Ricordiamo che le DDR3 non gradiscono voltaggi elevati per uso giornaliero.
Raccomandiamo di non superare per uso giornaliero i 1.85V per i moduli da 6GB e processori Intel Core i7 ““Nehalem”. La stessa Intel, raccomanda di non dare un voltaggio superiore di 0,5v rispetto al voltaggio massimo impostabile al VTTD del QPI che è di 1.35v. Pertanto 1.35v+0,50v= 1.85v.
N.B: Da prove fatte, è caldamente consigliabile non superare per uso giornaliero questo rapporto, pena rottura della cpu!

In conclusione, possiamo ritenerci molto soddisfatti da questo kit appena recensito. G.Skill ha prodotto delle ram da 3Gb di altissima qualità e alla portata della stragrande maggioranza degli utenti, renderanno felici tutte quelle persone che sono alla ricerca di ottime prestazioni senza svuotare il proprio portafoglio, cosa da non trascurare in questo momento particolare che tutto il mondo sta vivendo. Con una spesa abbastanza abbordabile, (195,00 Euro) possiamo aggiudicarci un prodotto che offre ottime prestazioni e dal insuperabile rapporto qualità/prezzo. Sono anni che G.Skill ci abitua ad una altissima qualità costruttiva abbinata a prestazioni brillanti. Sono evidenti i benefici che riescono ad apportare i 3GB all’intero sistema. Molto buono è il sistema di dissipazione adottato da G.Skill, infatti le ram risultano sempre ben raffreddate. Unico neo è rappresentato dal imponente altezza che i dissipatori raggiungono, che ci portano ad adottare cura nel scegliere il dissipatore per la cpu. Non riusciamo a trovare punti deboli al Kit di memoria appena recensito. Molto interessate è l’uso dei nuovi chip Samsung K4B1G0846D-HCF0 che sono in grado di garantire prestazioni costanti e stabili in ogni situazione. In conclusione possiamo affermare che queste ram sono indicate per tutti gli utenti che vogliono ottenere ottime prestazioni dal proprio Pc, senza svuotare il proprio portafoglio.