Dopo aver testato le ottime OCZ PC3-12800 1600MHz Platinum Edition XTC DDR3, nei giorni scorsi ci sono giunte in laboratorio la nuova soluzione di fascia alta da parte del noto produttore OCZ. Le memorie DDR3 in questi primi mesi del 2008, stanno facendo registrare buoni successi, grazie ad un maggior sforzo dei produttori, che diversificando le proprie proposte, riescono a ricoprire vari segmenti di mercato, abbattendo costi e ampliando la scelta finale del consumatore.

Ricordiamo che l’attuale progetto delle ram DDR3 non è uno stravolgimento ma un'evoluzione delle precedenti DDR2, infatti i dati vengono trasferiti su entrambi i fronti del segnale (salita e discesa) ottenendo così una duplicazione della velocità di trasferimento, cosi come avveniva con le DDR2.

Le memorie che andremo a recensire oggi sono le OCZ3P18002GK PC3-14400 1800Mhz XTC DDR3: un kit “2X1Gb” di DDR3 facente parte della serie PE, ovvero “Platinum Edition”.

I chip destinati alle memorie della famiglia “Platinum Edition” vengono selezionati accuratamente tra i migliori che escono dalle linee di produzione, e vengono testati affinché siano in grado di funzionare a frequenze elevate senza il minimo problema, consentendo alla stessa Ocz di garantire a vita i propri prodotti.

I moduli OCZ3P18002GK, proposti in kit da 2 Gbytes di capacità complessiva, sono certificati dal produttore per operare stabilmente a una frequenza di clock di 1.800 MHz, in abbinamento ad un voltaggio di alimentazione di 1.90V e timings pari a 8-8-8-24 – 2T (TCL-TRCD-TRP-TRAS - CMD).

Da notare come le specifiche indicate dal produttore siano per timings di accesso pari a 8-8-8-24 – 2T (TCL-TRCD-TRP-TRAS - CMD) alla frequenza di 1.800 MHz di clock, mentre sull'etichetta montata sul modulo di memoria vengono riportati valori di 8-8-8 non indicando il valore del TRAS.

I timings più importanti per le ram sono:

• Cas Latency Time (TCL): durante un operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• Row Precharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più veloce il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura

OCZ certifica i propri moduli per un funzionamento con voltaggio pari a 1,90V, superiore quindi di 0,40V rispetto alle specifiche JEDEC per memorie DDR3-1333, fornendo un margine di overvolt massimo sino a 2,00V senza invalidare la garanzia a vita.

Questi banchi, rappresentano attualmente il “Top” della proposta in ambito DDR3 da parte di Ocz, solo ed esclusivamente per le schede madri che non supportano un profilo Intel XMP. Infatti il modello di punta da parte di Ocz attualmente a 1800 Mhz è l’OCZ DDR3 PC3-14400 Intel XMP Ready Titanium Edition, garantito per funzionare a 1800Mz con timings di accesso pari a 7-7-7-24 – 2T con 2.05V.

Dalle prove condotte in laboratori siamo rimasti sorpresi, quando abbiamo osservato che il kit OCZ3P18002GK ha funzionato senza alcun problema alla frequenza di 1800Mhz a cas 7-7-7-24 – 2T impostando un voltaggio di 2.05V, in maniera stabile.
Questo, ci ha fatto capire che le ram altro non sono che le OCZ DDR3 PC3-14400 Intel XMP Ready Titanium Edition senza il profilo Intel XMP.
Da i test condotti in laboratorio, le ram non gradiscono il Command Rate (CMD ) impostato a 1T.

Raccomandiamo l’uso di un Command Rate a 2T per non aver alcun tipo di problema.

CMD (e' il Command rate) ed e' il tempo che passa tra l'attivazione del chip di memoria e quando un comando può essere inviato alla memoria stessa. 1T equivale a 1 ciclo di clock, 2T a due cicli di clock etc.
E' evidente che minore e' T maggiori sono le prestazioni. Il 2T invece da prestazioni inferiori, ma permette maggiore stabilità ed Overclock più spinti.

Ocz è una delle più grandi aziende nel mondo nella produzione di memorie DRAM, ma si è contraddistinta anche in altri settori riguardanti l’ hardware dei pc, come alimentatori e dissipatori di altissima qualità.
Al contrario di molti altri venditori di memorie DRAM, Ocz assicura di testare al 100% tutte le memorie che produce. Questo è importantissimo per gli utenti perché è indice di altissima qualità.

Presentazione delle memorie:

Le memorie ci sono giunte racchiuse nella classica confezione di plastica trasparente che viene usata di solito. Questa confezione provvede a proteggerle da eventuali urti.

Da subito si nota il particolare dissipatore a nido d’ape con ben in evidenza il marchio dell’azienda in rilievo.

Le ram, sono munite di dissipatori in alluminio di colore grigio di tipo passivo posti a diretto contatto con i chip memoria tramite un sottile strato di materiale termo conduttivo.

Il dissipatore di Ocz è denominato XTC – “eXtreme Thermal Convection”, per incrementare la dissipazione del calore prodotto dai chip durante la fase operativa.

Secondo Ocz questo tipo di dissipatore, permette di dissipare al meglio il calore generato durante il funzionamento dei moduli memoria, con benefici effettivi soprattutto in fase di overclock.
La sua struttura a nido d'ape permette di creare una certa ventilazione sul radiatore, migliorando la dissipazione termica. Oltre questo, il sistema XTC dona al prodotto un certo fascino dal lato estetico, profondamente diverso dal classico sistema di dissipazione.

Dalle prove condotte in laboratorio, i dissipatori, hanno svolto un buon lavoro, infatti riuscono a dissipare in maniere soddisfacente il calore generato, garantendo una temperatura di esercizio sempre accettabile, anche sotto prolungate sessioni di Overclock.Sempre all’interno della confezione troviamo un “foglietto” dove sono riportate tutte le istruzioni per il corretto montaggio “ Italiano compreso”.


I moduli OCZ3P18002GK, proposti in kit da 2 Gbytes di capacità complessiva, sono certificati dal produttore per operare stabilmente a una frequenza di clock di 1.800 MHz, in abbinamento a voltaggio di alimentazione di 1.90V e timings pari a 8-8-8-24 – 2T. Abbiamo visto, che impostando un Voltaggio di 2.05V le ram lavorano senza problemi a 1800 Mhz con timings pari a 7-7-7-24 – 2T, come avviene con le ram OCZ DDR3 PC3-14400 Intel XMP Ready Titanium Edition.

Tabella caratteristiche ram:

Le memorie non prevedono un profilo XMP, “eXtreme Memory Profiles”, pertanto non è indicato nella timings table l'impostazione a 900 Mhz di clock con timings 8-8-8-24 e voltaggio di alimentazione corrispondente di 1.90V così come indicato sull'etichetta posta sul modulo memoria.

Il profilo XMP consente di immagazzinare nelle aree di memoria del SPD non occupate dalle informazioni previste dallo standard Jedec, delle impostazioni più “aggressive” per le frequenze e i timings di funzionamento delle memorie stesse, consentendo ai moduli di operare in piena stabilità e specifiche, in termini di frequenza, di clock e di timings di accesso superiori a quelli certificatie dal JEDEC.

Il profilo XMP è utilizzabile su tutte le piattaforme con chipset Intel X38/X48, senza la necessità di dover intervenire manualmente sulle impostazioni del bios per impostare frequenze e timings di funzionamento. Sarà il bios a impostare in maniera automatica le frequenze ed i timings secondo quanto presente nei profili XMP.

I moduli sono costituiti dai chip 128Mbit X 8 il che significa che ciascun chip ha 128Mbit di contenuto informativo e 8 linee di I/O, pertanto con 8 chip per modulo si costruisce la struttura del modulo 128Mbit X 64 ottenendo cosi un modulo single rank e single sided. Pertanto sono utilizzati 8 chip per modulo, tutti su un lato, consentendo così di raggiungere la densità richiesta da un modulo ad 1 GB (8 X 128Mbit X 8=1024MB=1GB).

Le ram sono di tipo 240-pin DIMM, Non-ECC.

Montano i chip Micron D9GTR.

Il PCB è a 6 strati è viene usato dalla maggior parte dei produttori di ram DDR3 ad alte prestazioni.

Sistema di prova e metodologia dei test:

Per il sistema di prova ci siamo avvalsi di una scheda madre del produttore ASUS equipaggiata con chipset Intel X38, in particolare è stata scelta il modello “MAXIMUS EXTREME” nota per le sue particolari caratteristiche di Overclock.

Come processore ci siamo avvalsi di un modello della INTEL appositamente inviatoci in versione Box, della famiglia dei Penryn, in particolare è stato scelto il modello Core 2 Duo E8500 che ha una frequenza lavorativa di 3.16Mhz, una Cache L2 di 6MB e un FSB di 1333Mhz, in modo da spingere al massimo le memorie e non avere dei colli di bottiglia nel effettuare i test.

Al fine di poter testare in maniera opportuna le memorie e farle lavorare alle frequenze dichiarata è stato necessario overcloccare il FSB che sulle attuali piattaforme opera alla frequenza standard di 266 o 333 MHz.

Considerando che il massimo rapporto ottenibile con le schede madri attuali che montano il chipset X38 è: “FSB:RAM=1:2” (il doppio del FSB impostato), per raggiungere la frequenza dichiarata dal produttore pari a DDR3-1800 è stato necessario portare il FSB a 450 MHz.

Il FSB STRAP TO NORTH BRIDGE è stato impostato da bios a 333 e verrà usato sempre a 333 per tutti i test che verranno condotti in laboratorio in questa recensione.

Impostando da bios il FSB STRAP TO NORTH BRIDGE a 333 e FSB a 450 avremo la seguente situazione:

Verranno realizzati tre gruppi di test che sono stati progettati per rispondere alle seguenti esigenze:

- Un primo gruppo di test verrà effettuato sottoponendo il kit di memorie a una serie di applicativi di benchmarking mirati a testarne le performance generali. I test saranno eseguiti in modo tale da lasciare fisso il FSB a 450 MHz ed il moltiplicatore della cpu a 9x, in modo da avere una frequenza del processore fissa di 4050Mhz. Verranno variati solo i rapporti “1:1 - 5:8 - 1:2” della memoria in modo da modificare la frequenza di funzionamento della stessa. Il voltaggio delle memorie resterà invariato a 1.90v. In questa maniera si avrà un test esaustivo alle diverse frequenze di funzionamento di DDR3 900/1440/1800 senza che i risultati vengano influenzati dalla variazione di funzionamento della CPU.

- Un secondo gruppo di test invece verrà effettuato applicando due voltaggi differenti 1.90 V (per simulare un utilizzo quotidiano con voltaggio certificato dal produttore) e 2.10 V (per simulare un utilizzo spinto) e analizzare il comportamento del kit G.Skill all’eventuale miglioramento dovuto all’incremento del voltaggio erogato. Verranno utilizzati il SuperPI a 1 M per testare la stabilità minima e il SuperPi a 32 M per verificare una stabilità maggiore. In questo caso si lavorerà con i rapporti della memoria e con il FSB allo scopo di trovare le massime frequenze di utilizzo per i due benchmarking al variare delle frequenze.

- Altri ulteriori test sono stati eseguiti con il software SuperPI 1.5 Mod (test 1 M) a vari voltaggi, da 1.90 v a 2.25 v (con passi intermedi di 0,5v), allo scopo di vedere l’andamento del comportamento del kit al variare del voltaggio applicato, utilizzando i timing pari a 6-6-6-24 (cas-trcp-trp-tras) 7-7-7-24 e 8-8-8-24.

Le massime frequenze raggiungibili sono state individuate aumentando il FSB a intervalli di 5 MHz alla volta, ed eseguendo tutti gli applicativi di benchmarking previsti.

Tutti i test sono stati eseguiti con il sistema operativo di Windows XP SP3 aggiornato con le ultime patches al momento disponibili e senza particolari ottimizzazioni.

Un riassunto della configurazione di prova la trovare nella tabella sotto:

Le prove sono state fatte volutamente utilizzando una motherboard senza voltmod e con raffreddamento a liquido, per cui i risultati sono replicabili da ciascun utente senza l’utilizzo di particolari accorgimenti e/o sistemi di raffreddamento estremi oppure booster esterni per dare più volt alle memorie.
L’unica accortezza è stata quella di posizionare una ventola da 120X120 sulle ram, solo ed esclusivamente quando si sono svolti test con voltaggio superiore ai 2.10V.

Benchmark Sintetici:

I benchmark sintetici permettono di evidenziare eventuali differenze esistenti, in termini di bandwidth e di latenza, tra le varie configurazioni di memoria disponibili. A parità di tecnologia di memoria, una frequenza di clock più elevata permette di ottenere valori di bandwidth maggiori, mentre con timings più bassi si ottiene una riduzione della latenza di accesso.

Come già detto nella precedente pagina abbiamo lasciato inalterata la frequenza di funzionamento a 4.05Ghz della CPU e le memorie sono state fatte funzionare a DDR3 900/1440/1800 impostando timings diversi alle varie frequenze di funzionamento supportate dalle memorie e variando da bios solo i rapporti delle memorie. Il voltaggio delle memorie resterà invariato a 1.90v. In questo modo sarà possibile vedere come le performance delle memorie scalano all’aumentare delle frequenze di funzionamento.

Test Overclock:

Grafico Overclock e stabilità (7-7-7-24)

Grafico Overclock e stabilità (8-8-8-24)

Grafico Frequenze e Relativi voltaggi (7-7-7-24)

Grafico Frequenze e Relativi voltaggi (8-8-8-24)

Considerazioni su i test:

Ricordiamo che le DDR3 non gradiscono voltaggi elevati per uso giornaliero.
Raccomandiamo di non superare per uso giornaliero i 2.05V.

Conclusioni:

Prestazioni :
Rapporto qualità/prezzo:
Complessivo :

Contro:

Si ringrazia Ocz per il banco di ram oggetto della prova.