GOODRAM, brand di proprietà della decennale azienda polacca Wilk Elektronik SA, ha da pochi mesi commercializzato la nuova serie di memorie DDR4 IRDM X. Moduli di memoria caratterizzati da un interessante screening degli IC che promettono prestazioni e overclock di tutto rispetto. La serie IRDM X si rivolge ai videogiocatori, enthusiast users e professionisti del settore. GOODRAM per la serie IRDM X offre differenti capacità e tagli oltre a diverse colorazioni. Oggi andremo ad analizzare due moduli siglati IR-X3000D464L16S/8G. Moduli da 8GB di capacità con una frequenza di 3000MHz. Che dite, GOODRAM brand relativamente nuovo in Italia saprà colpirci dopo queste premesse? Lo scopriremo a breve.

Abbiamo effettuato i nostri test su di una piattaforma Intel LGA 1151, con CPU dotata di architettura Coffee Lake i7-8700K. I test si sono svolti su di una MSI Z370 Gaming Pro Carbon AC. Nel dettaglio:

Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,35V per la frequenza di 3000Mhz selezionando il profilo XMP. Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller ma con il voltaggio limite di 1.65V certificato XMP dalla stessa Intel non ci saranno problemi. Invece con l’ultima architettura e CPU Coffee Lake queste voltaggi sono diventati proibitivi tanto che il massimo voltaggio raccomandato è 1,4V e solo per brevi e non continui bench potremo arrivare a massimo 1,5V ad aria.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

• CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

A seguire la lista di software utilizzati:

• 3D Mark 13 Fire Strike
• Aida64
• WinRAR
• Cinebench R15
• wPrime