Seppur il mercato delle memorie DDR4 sia in rapida ascesa grazie all’abbassamento dei prezzi e all’introduzione di nuove piattaforme che le supportano (pensiamo all’imminente uscita di Skylake), nel panorama delle memorie DDR3, in primis, sembrano esserci ancora dei mutamenti che stanno portando un nuovo brand a segnare un nuovo capitolo nel mercato dei moduli DRAM. Oggi siamo dunque orgogliosi e molto emozionati nel presentarvi in esclusiva italiana la collaborazione con il neonato brand KLEVV, che ha fatto capolino con le sue spettacolari memorie al Computex 2015 di Taipei. Oggi a voi utenti, lettori e followers di Xtremehardware.com presentiamo dunque la recensione del primo di tanti Kit del brand cinese. In particolare, testeremo il modello KLEVV Genuine nel kit da 2x4GB e siglatoIM34GU48C16-999HMG. Non ci dilunghiamo troppo e procediamo subito con la recensione.
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Sistema di prova e metodologia di test
Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1150, con CPU dotata di architettura Haswell. Nel dettaglio:
Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,5V per la frequenza di 1600Mhz selezionando il profilo XMP. Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller ma con il voltaggio limite di 1.65V certificato XMP dalla stessa Intel non ci saranno problemi.
Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:
- CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
- Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
- Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
- RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.
A seguire la lista di software utilizzati:
- 3D Mark 13 Fire Strike
- Aida64
- WinRAR
- Cinebench R15
- wPrime
- MaxxMEM 2